Timing Memory

Sumber : Obengware.com

Timing Dasar Memori

---

* CAS (tCL) Timing: CAS adalah singkatan dari Column Address Strobe atau Column Address Select. Adalah sebuah kontrol terhadap banyaknya waktu yang diperlukan dalam sebuah putaran (cycle) untuk mengirim perintah membaca (read command) dan kemudian mengeksekusinya. Proses dari awal CAS hingga akhir terdapat apa yang dinamakan dengan latency (atau delay). Semakin cepat sebuah cycle CAS ini berakhir akan membawa efek yaitu lebih tingginya performa dari memori.

e.g.: 2.5-3-3-8 Yang diberi tanda tebal “2.5″ merupakan CAS timing.

* tRCD Timing: RAS to CAS Delay (Row Address Strobe/Select to Column Address Strobe/Select). Adalah banyaknya waktu dalam sebuah cycle untuk memberikan satu perintah aktif (active command) dan perintah baca/tulis (read/write commands).

e.g.: 2.5-3-3-8 Yang diberi tanda tebal “3″ merupakan tRCD timing.

* tRP Timing: Row Precharge Time. Ini adalah waktu minimum antara perintah aktif dan perintah baca/tulis pada bank selanjutnya dari modul memori.

e.g.: 2.5-3-3-8 Yang diberi tanda tebal “3″ merupakan tRP timing.

* tRAS Timing: Min RAS Active Time. tRAS adalah sebuah angka putaran clock yang diambil berdasarkan perintah aktif dari setiap bank memori dan memberikan precharge command. RAS Active Time adalah banyaknya waktu yang diperlukan sebuah baris diaktifkan lewat precharge command dan selanjutnya dinonaktifkan. Sebuah baris tidak dapat dinonaktifkan sebelum tRAS selesai. Semakin rendah tRAS, semakin cepat performa memori, tetapi jika diset terlalu rendah, akan menyebabkan adanya data yang terpotong (data corruption) karena menonaktifkan baris terlalu dini.

tRAS = tCL + tRCD + tRP (+/- 1) formula ini menggambarkan bahwa semuanya mempunyai peran untuk memberikan waktu yang tepat sebelum “menutup” bank memori.

e.g.: 2.5-3-3-8 Yang diberi tanda tebal “8″ merupakan tRAS timing.

(Angka 2.5-3-3-8 hanyalah contoh dari timing memory yang ada.)

Dari contoh diatas terdapat 4 (empat) timing yang terdapat dalam sebuah modul memori. Urutannya adalah CAS-tRCD-tRP-tRAS. Semakin renda timing ini, semakin tinggi performa dari sebuah modul memory. Beberapa manufaktur motherboard (sebagai contoh DFI) memberikan pilihan dari masing-masing timing yang akan diset dalam BIOS CAS-tRCD-tRAS-tRP mereka.

Beberapa merek memori tertentu yang memiliki harga diatas, dapat diset dengan timing yang sangat “ketat” (baca:rendah) dalam speed yang tingi yang dapat diset langsung dari motherboards. Namun tidak semua board akan memiliki opsi yang sangat detil untuk pengoptimalan timing memori.

Timing Lainnya

---

* Command Rate: Juga disebut dengan CPC (Command Per Clock). Adalah banyaknya waktu dalam satu cycle ketika perintah menyeleksi chip dijalankan dan kemudian diberikan perintah selanjutnya. Semakin rendah (1T) semakin cepat performance-nya, namun 2T digunakan untuk menjaga stabilitas sistem. Pada sistem yang berbasis Intel, 1T sering digunakan ketika jumlah bank per channel memori dibatasi hanya 4 saja.

* tRC Timing: Row Cycle Time. Waktu minimum dalam cycle yang dibutuhkan untuk sebuah baris menyelesaikan sau buah cycle yang dapat diperoleh dengan tRC = tRAS + tRP. Bilaman diset terlalu pendek akan menyebabkan adanya data yang terpotong (data corruption) dan jika diset terlalu tinggi, akan menyebabkan “kedodoran” dalam performance sistem, namun disatu sisi meningkatkan kestabilan (stability) sebuah sistem.

* tRRD Timing: Row to Row Delay or RAS to RAS Delay. Banyaknya cycle yang dibutuhkan untuk mengaktifkan bank memori selanjutnya. Ini merupakan kebalikan dari tRAS. Semakin rendah timing-nya, performance-nya lebih baik, tetapi hal ini akan menyebabkan ketidakstabilan pada sistem (instability).

* tRFC Timing: Row Refresh Cycle Timing. Merupakan banyaknya cycle yang diperlukan untuk me-refresh sebuah baris dalam sebuah bank memori. Bilamana di-set terlalu cepat dapat menyebabkan adanya data corruption dan jika di -set terlalu tinggi, akan menyebabkan penurunan pada performance, namun disatu sisi meningkatkan kestabilan (stability) sistem.

* tRW Timing: Write Recovery Time. Banyaknya cycle yang dibutuhkan setelah sebuah operasi penulisan dan precharge yang valid. Dibutuhkan untuk membuktikan bahwa data telah ditulis secara benar.

* tRTW/tRWT Timing: Read to Write Delay. Sesudah sebuah perintah tulis diterima, item ini berfungsi sebagai banyaknya cycle agar perintah ini segera dilaksanakan.

* tWTR Timing: Write to Read Delay. Adalah banyaknya cycle yang dibutuhkan antara sebuah perintah WRITE dan kemudian mengeksekusi perintah READ selanjutnya. Semakin rendah semakin baik dalam performance, namun dapat menyebabkan ketidakstabilan.

* tREF Timing: Banyaknya waktu yang digunakan sebelum sebuah perintah di-refresh, jadi mencegah “kebocoran” dan terpotongnya sebuah perintah. Diukur dalam satuan micro-seconds (µsec).

* tWCL Timing: Write CAS number. Penulisan terhadap bank apa saja yang mempunyai akses untuk ditulis. Dioperasikan pada rating 1T, namun dapat di-set pada rating lainnya. Kelihatannya tidak dapat di-set selain 1T pada DDR. Meskipun begitu DDR2 adalah hal yang berbeda.